નીચા ધૂમ્રપાન અને હેલોજન ફ્રી ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર ઇન્સ્યુલેટીંગ રબર સામગ્રી પર સંશોધન

બાઈનરી ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર અને ટર્નરી ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર (ઇપીડીએમ) બે કેટેગરીઝ સહિતના ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર (ઇપીઆર), એક સંતૃપ્ત રબર છે, જેમાં ઉત્તમ ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્સ્યુલેશન, ભેજ, ગરમી, ઠંડા અને વૃદ્ધત્વ પ્રતિકાર છે, જેમાં વાયર અને સીએબલ્સની તૈયારીમાં વ્યાપકપણે રબરના મુખ્ય શરીરની જેમ કે એક વ્યાપક કેબલ છે. બિછાવે પર્યાવરણની વધુને વધુ high ંચી આવશ્યકતાઓ સાથે, વાયર અને કેબલ લો-સ્મોક હ lo લોજેન-ફ્રી જ્યોત રીટાર્ડન્ટ તરફ વિકસિત કરવામાં આવી રહ્યા છે, ક્રોસ-લિંક્ડ પોલિઇથિલિનના સમાન નીચા-દબાણવાળા ગ્રેડ સાથે, ઇપીઆર પણ ફ્લેમ્મેબલ સામગ્રીની છે, તેની પોતાની પરમાણુ રચના અને ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ પ્રદર્શનની રચનાની રચનાની માત્રા સાથે, ફક્ત રેટર્ડન્ટમાં રેટર્ડન્ટમાં રેટર્ડન્ટની રેટર્ડન્ટની રચનાની માત્રા સાથે ઓછી અસર પડે છે. લો-સ્મોક હેલોજન-મુક્ત જ્યોત-રીટાર્ડન્ટ સામગ્રી ફક્ત ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ્સના હેલોજન-મુક્ત વર્ગમાં ઉમેરી શકાય છે. અધ્યયનોએ બતાવ્યું છે કે ઇપીડીએમની ઇલેક્ટ્રિકલ ગુણધર્મો જ્યોત રીટાર્ડન્ટ દ્વારા ખૂબ પ્રભાવિત થાય છે, ફક્ત હાઇડ્રોક્સાઇડ ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટના 80 ભાગો ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રિકલ રેઝિસ્ટિવિટીમાં ઝડપી ઘટાડો થશે, જેથી આઇ.ઇ.સી. 60502 (1 ~ 30 કેવી બહાર નીકળેલા ઇન્સ્યુલેટેડ કેબલ્સ અને તેમના એસેસરીઝમાં રેટેડ વોલ્ટેજ અને તેમના એસેસરીઝમાં તાપમાને રેસ્યુલેશનમાં રેટેડ રેસ્ટ્યુલેશનમાં રેટેડ વોલ્ટેજ) /> 67. કે.એમ. લો-સ્મોક હેલોજન-મુક્ત જ્યોત-રીટાર્ડન્ટ ઇપીઆર વર્ષોથી રબર ઇન્સ્યુલેટીંગ રબર, જ્યારે સબવે અને ઉચ્ચ-ઉંચી ઇમારતો જેવા ગીચ પ્રસંગોએ આગની સલામતીમાં સુધારો કરવા માટે કેબલ ઇન્સ્યુલેશન અને આવરણની એકંદર જ્યોત મંદીની જરૂર હોય છે. એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને નવી ઉત્પાદન પદ્ધતિઓના સંશોધન અને વિકાસ જેવા અકાર્બનિક જ્યોત રીટાર્ડન્ટ્સની સપાટી સુધારણા તકનીક સાથે, ઉપરોક્ત આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરવી શક્ય છે.

1 નીચા-સ્મોક હેલોજન-મુક્ત જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ રબર સામગ્રીના પ્રભાવ પર અકાર્બનિક જ્યોત રીટાર્ડન્ટ પ્રકારોની અસર

મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ સાથે ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવ સામગ્રીની તાણ શક્તિ એ સૌથી મોટી છે, મુખ્યત્વે એ હકીકતને કારણે

મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ સોય જેવી સ્ફટિકીય, 2μm કરતા ઓછી કણોનું કદ, અને મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને ઇપીડીએમની બંધનકર્તા બળ અને સુસંગતતાને વધારવા માટે સિલેન કપ્લિંગ એજન્ટના ફેરફાર દ્વારા છે. ઓક્સિજન અનુક્રમણિકા અને ical ભી કમ્બશન ગ્રેડની તુલના કરીને, તે જોઈ શકાય છે કે મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડની ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ અસર એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ કરતા નોંધપાત્ર રીતે વધુ સારી છે, આ મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડના થર્મલ વિઘટન તાપમાનને કારણે એલ્યુમિનિમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, 140 ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ની પ્રક્રિયામાં ટાળે છે, જે પ્રક્રિયાના વિકાસની પ્રક્રિયાથી વધુ છે, વધુમાં, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ ડિહાઇડ્રેશન પછી એડહેસિવ સામગ્રીની સપાટી પર or ક્સિડાઇઝ્ડ ફિલ્મનો એક સ્તર બનાવશે અને ચારકોલની રચનાને પ્રોત્સાહન આપશે, જે ડિહાઇડ્રેશન પછી, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રેશન, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડની સપાટી પર એક સ્તર બનાવશે. રબર સામગ્રીની સપાટી પર સખત શેલ બનાવવી, અસરકારક રીતે ઓક્સિજનને અલગ પાડતા, આમ જ્યોત રીટાર્ડન્ટ સિસ્ટમમાં સુધારો. વોલ્યુમ રેઝિસ્ટિવિટીની તુલના સમાપ્ત થઈ શકે છે, ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન પર એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ રબર ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર (ઇપીઆર), જેમાં બાઈનરી ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર અને ટર્નરી ઇથિલિન પ્રોપિલિન રબર (ઇપીડીએમ) બે કેટેગરીઝ છે, જેમાં એક સંતૃપ્ત રબર છે, જેમાં ઉત્તમ ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્સ્યુલેશન, શાનદાર, મોઇસ્ટર, સીએબલ્સ અને રેઝિસ્ટન્સનો ઉપયોગ થાય છે, જેમાં એક સંતૃપ્ત રબર છે. કેબલ ઇન્સ્યુલેશન સામગ્રી તરીકે સ્ટાયરિન-બ્યુટાડીન રબરના મુખ્ય ભાગનો એક વ્યાપક વિકલ્પ રહ્યો છે. બિછાવે પર્યાવરણની વધુને વધુ high ંચી આવશ્યકતાઓ સાથે, વાયર અને કેબલ લો-સ્મોક હ lo લોજેન-ફ્રી જ્યોત રીટાર્ડન્ટ તરફ વિકસિત કરવામાં આવી રહ્યા છે, ક્રોસ-લિંક્ડ પોલિઇથિલિનના સમાન નીચા-દબાણવાળા ગ્રેડ સાથે, ઇપીઆર પણ ફ્લેમ્મેબલ સામગ્રીની છે, તેની પોતાની પરમાણુ રચના અને ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ પ્રદર્શનની રચનાની રચનાની માત્રા સાથે, ફક્ત રેટર્ડન્ટમાં રેટર્ડન્ટમાં રેટર્ડન્ટની રેટર્ડન્ટની રચનાની માત્રા સાથે ઓછી અસર પડે છે. લો-સ્મોક હેલોજન-મુક્ત જ્યોત-રીટાર્ડન્ટ સામગ્રી ફક્ત ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ્સના હેલોજન-મુક્ત વર્ગમાં ઉમેરી શકાય છે. અધ્યયનોએ બતાવ્યું છે કે ઇપીડીએમની ઇલેક્ટ્રિકલ ગુણધર્મો જ્યોત રીટાર્ડન્ટ દ્વારા ખૂબ પ્રભાવિત થાય છે, ફક્ત હાઇડ્રોક્સાઇડ ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટના 80 ભાગો ઉમેરવાથી ઇલેક્ટ્રિકલ રેઝિસ્ટિવિટીમાં ઝડપી ઘટાડો થશે, જેથી આઇ.ઇ.સી. 60502 (1 ~ 30 કેવી બહાર નીકળેલા ઇન્સ્યુલેટેડ કેબલ્સ અને તેમના એસેસરીઝમાં રેટેડ વોલ્ટેજ અને તેમના એસેસરીઝમાં તાપમાને રેસ્યુલેશનમાં રેટેડ રેસ્ટ્યુલેશનમાં રેટેડ વોલ્ટેજ) /> 67. કે.એમ. લો-સ્મોક હેલોજન-મુક્ત જ્યોત-રીટાર્ડન્ટ ઇપીઆર ઇન્સ્યુલેટીંગ રબર વર્ષોથી, જ્યારે સબવે અને ઉચ્ચ-ઉંચી ઇમારતો જેવા ગીચ પ્રસંગોએ આગની સલામતીમાં સુધારો કરવા માટે કેબલ ઇન્સ્યુલેશન અને આવરણની એકંદર જ્યોત મંદીની જરૂર હોય છે. એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને નવી ઉત્પાદન પદ્ધતિઓના સંશોધન અને વિકાસ જેવા અકાર્બનિક જ્યોત રીટાર્ડન્ટ્સની સપાટી સુધારણા તકનીક સાથે, ઉપરોક્ત આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરવી શક્ય છે.

1. નીચા ધૂમ્રપાનના પ્રભાવ પર અકાર્બનિક જ્યોત રીટાર્ડન્ટ પ્રકારનો પ્રભાવ હેલોજન-મુક્ત જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન રબર સામગ્રી

મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ સાથે ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવ સામગ્રીની તાણ શક્તિ એ સૌથી મોટી છે, મુખ્યત્વે એ હકીકતને કારણે કે મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ સોય જેવી સ્ફટિકીય છે, કણોનું કદ 2μm કરતા ઓછું છે, અને મેગ્નેસિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને ઇપીડીએમની સુસંગતતા વધારવા માટે સિલેન કપ્લિંગ એજન્ટના ફેરફાર દ્વારા. ઓક્સિજન અનુક્રમણિકા અને ical ભી કમ્બશન ગ્રેડની તુલના કરીને, તે જોઈ શકાય છે કે મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડની ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ અસર એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ કરતા નોંધપાત્ર રીતે વધુ સારી છે, આ મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડના થર્મલ વિઘટન તાપમાનને કારણે એલ્યુમિનિમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, 140 ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ની પ્રક્રિયામાં ટાળે છે, જે પ્રક્રિયાના વિકાસની પ્રક્રિયાથી વધુ છે, વધુમાં, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ ડિહાઇડ્રેશન પછી એડહેસિવ સામગ્રીની સપાટી પર or ક્સિડાઇઝ્ડ ફિલ્મનો એક સ્તર બનાવશે અને ચારકોલની રચનાને પ્રોત્સાહન આપશે, જે ડિહાઇડ્રેશન પછી, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રેશન, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડની સપાટી પર એક સ્તર બનાવશે. રબર સામગ્રીની સપાટી પર સખત શેલ બનાવવી, અસરકારક રીતે ઓક્સિજનને અલગ પાડતા, આમ જ્યોત રીટાર્ડન્ટ સિસ્ટમમાં સુધારો. વોલ્યુમ રેઝિસ્ટિવિટીની તુલના નિષ્કર્ષ પર આવી શકે છે, ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન પર એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ રબર મટિરિયલ ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્સ્યુલેશન પ્રભાવનું પ્રભાવ મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ કરતા ખૂબ નાનું છે, આ એટલા માટે છે કારણ કે એટીએચ 104e વાહકતા 60 પીએસ-સીએમ કરતા વધારે નથી; અને સામાન્ય મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, જેમ કે ખાણ પ્રભાવના ઘરેલું સ્રોત, ઉચ્ચ અશુદ્ધતા સામગ્રી, ઓછી શુદ્ધતા, સકારાત્મક ચાર્જ, ઉચ્ચ ધ્રુવીયતા, માઇક્રોસ્કોપિક આંતરિક તાણ સાથે તેની સપાટી ઉપરાંત, વાહકતા 250 પીએસ-સીએમ સુધીની હોય છે. 1 અથવા વધુ, ઇપીડીએમ રબર સામગ્રીમાં ઉમેરવામાં આવેલી મોટી સંખ્યામાં મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, રબરની સામગ્રીની ઇન્સ્યુલેટીંગ ગુણધર્મોમાં નોંધપાત્ર ઘટાડો થશે, જોકે ખાસ સપાટી ફેરફારની સારવાર પછી મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ રબર સામગ્રીના ઇન્સ્યુલેટીંગ ગુણધર્મોને સુધારી શકે છે, પરંતુ પરિણામો હજી આદર્શ નથી. મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડની સમાન માત્રાને ધ્યાનમાં રાખીને એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ કરતા વધુ સારી જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મો છે, અમે અને મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ ઉત્પાદકો મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ, મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડના ભૌતિક સૂચકાંકો, સપાટીના સંશોધકો અને ઉત્પાદન પદ્ધતિઓ, વગેરેના ભૌતિક સૂચકાંકોને optim પ્ટિમાઇઝ કરે છે, અને મેગ્નેસીવ હાઇડ્રોક્સીડ આઇએસઇજી, ઇસીડીએમ -એમ.એચ.ડી.એમ. એમએચ 3005 અને એમએચ 3005 ઝેડ.

એમએચ 3005 અને એમએચ 3005 ઝેડ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ રબરમાં ઉચ્ચ વોલ્યુમ રેઝિસ્ટિવિટી હોય છે, જેમાંથી એમએચ 3005 ઝેડ રબરથી બનેલો ઇન્સ્યુલેટીંગ કોર મૂળભૂત રીતે આઇઇસી 60502 ની આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરે છે, પરંતુ એમએચ 3005 રબરના ઇન્સ્યુલેટીંગ ગુણધર્મો પ્રમાણમાં વધારે છે. જો કે, એમએચ 3005 રબરથી બનેલા કોરનું ઇન્સ્યુલેશન પ્રદર્શન પ્રમાણમાં ઓછું છે, અને એવો અંદાજ છે કે એક્સ્ટ્ર્યુઝન વલ્કેનાઇઝેશન પ્રક્રિયા દરમિયાન કોરની સપાટીની રચનાને નુકસાન થયું હતું, અને કારણને વધુ શોધવાની જરૂર છે.

Overall, compared with the EPDM insulation rubber with modified magnesium hydroxide alone and EPDM insulation rubber with aluminum hydroxide alone, the former has good flame retardant property, high tensile strength, and better insulating property after special surface modification, but there is still a risk of degradation of insulating property in the insulating wire core, while the insulating property of aluminum hydroxide is better, and its resistivity can meet આવશ્યકતાઓમાં પણ ફેરફાર કર્યા વિના.

2. નીચા-ધૂમ્રપાન, હેલોજન-મુક્ત જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવ્સના પ્રભાવ પર અકાર્બનિક જ્યોત મંદીની અસર

મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અથવા એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અકાર્બનિક જ્યોત રીટાર્ડન્ટનો એક ઉપયોગ એક સાથે ઇલેક્ટ્રિકલ ગુણધર્મો અને જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મોની આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરી શકતો નથી, તેથી એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને નીચા-ધૂમ્રપાન-મુક્ત ફ્લેમ-રેટર્ડન્ટ ઇપીડીએમ અને એથ 104 ના પ્રભાવ પર તેની અસર કુલ 120 ભાગોની માત્રા, એમએચ 3005z ની માત્રામાં વધારો સાથે, મેન્ની સ્નિગ્ધતા અને ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવની તાણ શક્તિમાં વધારો થયો, જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મોમાં વધારો થયો, વોલ્યુમ રેઝિસ્ટિવિટીમાં ઘટાડો થયો. એમએચ 3005 ઝેડના વધારા સાથે, મેન્ની સ્નિગ્ધતા અને ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવની તનાવની તાકાત વધે છે, જ્યોત પ્રતિકારક મિલકત વધે છે, અને વોલ્યુમ પ્રતિકારકતામાં ઘટાડો થાય છે. જ્યારે એટીએચ 104E/MH3005Z નો ગુણોત્તર 90/30 છે, ત્યારે ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવની ઇન્સ્યુલેટીંગ અને ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મો આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરે છે. એટીએચ 104E / MH3005Z ની તુલના અને 110/10 અને 120 / LO ના ગુણોત્તર, જોકે ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન એડહેસિવ ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મો પછી એથ 104E ના 10 ભાગોમાં વધારો થયો છે, પરંતુ ઝડપી ઘટના ભૌતિક ગુણધર્મો. લેથ 104E / MH3005Z અને 70/50 અને 70/40 ના ગુણોત્તર, MH3005Z ના 10 ભાગોને ઘટાડે છે, જો કે તે રબરના ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મોને સુધારી શકે છે, પરંતુ જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મો આવશ્યકતાઓને પૂર્ણ કરતી નથી. જ્યોત મંદબુદ્ધિ ગુણધર્મોની ખાતરી કરવા માટે, જ્યોત રીટાર્ડન્ટની કુલ રકમ ઓછી કરી શકાતી નથી.

ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન રબર મટિરિયલ ફ્લેમલેસ ધૂમ્રપાનની ઘનતા 355 અથવા તેથી છે, અકાર્બનિક જ્યોત રીટાર્ડન્ટની માત્રા સાથે અને ગુણોત્તર સાથે કોઈ સ્પષ્ટ સંબંધ નથી, આ બધા ઘટકોના સૂત્રને કારણે છે, ધૂમ્રપાનની રચના મુખ્યત્વે ઇપીડીએમ છે, તેમ છતાં, અકાર્બનિક જ્યોત રિટાર્ટન્ટમાં ભવ્યતામાં ભૌતિક સ્મૃતિમાં ઘટાડો કરી શકતી નથી, અને તે પણ નથી. દહન.

3. નીચા-ધૂમ્રપાનથી હેલોજન-મુક્ત જ્યોત-રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ કમ્પાઉન્ડના પ્રભાવ પર ધૂમ્રપાન ઘટાડવાનું એજન્ટ

જેબી / ટી 10707-2007 'થર્મોપ્લાસ્ટિક હેલોજન-ફ્રી લો-સ્મોક ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ કેબલ મટિરીયલ્સ ' જરૂરી છે કે રબર સામગ્રીની ફ્લેમલેસ ધૂમ્રપાનની ઘનતા 250 કરતા વધારે ન હોવી જોઈએ, જેથી રબર સામગ્રીની ધૂમ્રપાનની ઘનતા ઘટાડવા માટે ધૂમ્રપાન કરનારને દયામાં ઉમેરવી જોઈએ. મોન્ટમોરિલોનાઇટમાં કેલ્શિયમ આધારિત, સોડિયમ આધારિત, મેગ્નેશિયમ આધારિત મોન્ટમોરિલોનાઇટ હોય છે, છીનવી અને વિખેરી નાખવા, શુદ્ધિકરણ અને ફેરફાર, વિશેષ કાર્બનિક સંયુક્ત, સ્તરની સરેરાશ જાડાઈ 25 એનએમ કરતા ઓછી હોય છે. વધુ સારી રીતે ધૂમ્રપાનની અસર પ્રાપ્ત કરવા માટે મોન્ટમોરિલોનાઇટની પસંદગી કરવામાં આવી છે.

ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન પર મોન્ટમોરિલોનાઇટ, અસરની રબર સામગ્રીના ધૂમ્રપાનની ઘનતા ખૂબ સ્પષ્ટ છે, પરંતુ જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મોમાં થોડો વધારો પણ હોઈ શકે છે, જ્યારે અન્ય ગુણધર્મો ઓછી અસર કરે છે; મોન્ટમોરિલોનાઇટની માત્રામાં વધારો સાથે, ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન રબર સામગ્રીના ધૂમ્રપાનની ઘનતા ધીરે ધીરે ઘટાડો થાય છે, અને સ્થિર થઈ જાય છે, ખર્ચના પરિબળોને ધ્યાનમાં લેતા, 5 ભાગો માટે મોન્ટમોરિલોનાઇટની માત્રા પસંદ કરો.

4 નિષ્કર્ષ

(1) હેલોજન-મુક્ત લો-સ્મોક ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેટીંગ એડહેસિવમાં, સમાન ડોઝ સાથે સુધારેલા મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડની જ્યોત રીટાર્ડન્ટ અસર એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ કરતા વધુ સારી છે, પરંતુ મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ ઇલેક્ટ્રિકલ ઇન્સ્યુલેશન પ્રોપર્ટીઝ પર વધુ અસર કરે છે.

(2) એલ્યુમિનિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને મેગ્નેશિયમ હાઇડ્રોક્સાઇડ અને 90/30 ના ગુણોત્તર સાથે, નીચા ધૂમ્રપાન અને હેલોજન-મુક્ત જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન એડહેસિવ સામગ્રીમાં સારી ફ્લેમ રીટાર્ડન્ટ ગુણધર્મો અને ઇન્સ્યુલેશન ગુણધર્મો છે.

()) મોન્ટમોરિલોનાઇટનો ઉપયોગ અસરકારક રીતે નીચા-સ્મોક હેલોજન-મુક્ત જ્યોત રીટાર્ડન્ટ ઇપીડીએમ ઇન્સ્યુલેશન એડહેસિવની ધૂમ્રપાનની ઘનતાને ઘટાડી શકે છે, પરંતુ તેના ડોઝના વધારા સાથે, એડહેસિવની ધૂમ્રપાનની ઘનતા ધીરે ધીરે ઘટાડો થાય છે, અને મોન્ટમોરિલોનાઇટનો શ્રેષ્ઠ ડોઝ 5 ભાગ છે.